Собственные установки для производства микроэлектроники должны появиться в России к 2030 году

Документ был разработан Минпромторгом совместно с НТЦ МИЭТ. Программа содержит четыре направления: технологическое оборудование, материалы и химические вещества, а также системы автоматизированного проектирования (САП).

Бюджетное финансирование программы до 2030 г. запланировано на уровне более 240 млрд руб., сообщил представитель Минпромторга. Он уточнил, что в реализации мероприятий программы, которая включает оборудование, материалы и САП, уже участвует свыше 50 организаций. Среди трудностей при реализации программы можно выделить, в частности, высокую стоимость кредитных средств для пополнения оборотки в условиях 50%-ного авансирования работ, а также ограничения в импорте отдельных комплектующих (санкционные ограничения, высокая стоимость, долгие сроки поставки), перечислил собеседник.

Для нивелирования данных обстоятельств Минпромторг согласует инициативу по повышению размера авансирования ОКР до 80%, пояснил представитель ведомства. Также Минпромторг завершает работу над формированием программы по локализации производства критических компонентов технологического оборудования, добавил он.

НТЦ МИЭТ подсчитал, что в России используется не менее 400 моделей оборудования для производства микроэлектроники. «И только порядка 12% оборудования в лучшем случае можно было произвести на территории России», – подчеркнул Петренко.

Около 70% оборудования и материалов для производства микроэлектроники планируется импортозаместить к 2030 г., указано в презентации Петренко. Чтобы достичь этой цели, до 2030 г. будет запущено 110 опытно-конструкторских работ (ОКР; некоторые работы предполагают создание нескольких установок). Уже сейчас начата 41 ОКР, в 2024 г. будет запущено еще 26, а в 2025–2026 гг. – еще 43. В рамках программы планируется разработать 15 типов контрольно-измерительного оборудования, 13 типов плазмохимических установок, 10 установок для литографии, девять для корпусирования, по восемь типов для производства фотошаблонов и эпитаксии, семь для производства пластин и т. д., следует из представленных на форуме материалов.

Для формирования дорожной карты было выбрано 20 технологических маршрутов, включая микроэлектронику (от 180 до 28 нм), СВЧ-электронику, фотонику, силовую электронику, производство фотошаблонов и сборку электронно-компонентной базы (ЭКБ) и модулей, производство пассивной электроники и т. д.

К концу 2026 г., согласно программе, в стране планируется освоить подготовку пластин: на российском оборудовании планируется выращивать монокристаллы, резать их, шлифовать и полировать, отмывать и сушить, наносить элементы и контролировать выходные изделия (рентгеновский дифрактометр, контроль дефектов).

Также к концу 2026 г. планируется создать литографию с УФ-диапазоном для производства процессоров по топологическим нормам 350 нм (создают ЗНТЦ и белорусский «Планар») и 130 нм (создадут «Оптосистемы»). Помимо этого будет создана и установка для электронно-лучевой литографии для 150 нм. Сейчас фотолитографы для производства чипов производит всего несколько крупных компаний в мире – нидерландская ASML, а также японские Canon и Nikon.

К 2026 г. будет также освоена эпитаксия, т. е. процесс, при котором на одной подложке выращивается несколько слоев полупроводниковых материалов, а к 2030 г. планируется освоить в производстве сканер для производства чипов топологии 90–65 нм. Прототипом сканера является установка ASML Twinscan XT 1250 (производитель – Нидерланды). ASML начала выпуск этих установок в начале 2000-х гг., «Ведомостям» Петренко.

Источник: https://mashnews.ru/sobstvennyie-ustanovki-dlya-proizvodstva-mikroelektroniki-dolzhnyi-poyavitsya-v-rossii-k-2030-godu.html