события

        

Новая технология «выращивания» транзисторов сделает компьютеры ещё мощнее

Команда учёных из Массачусетского технологического института (MIT) сообщила о создании новой технологии, которая позволит увеличить производительность компьютеров. Речь идёт о «выращивании» транзисторов атомного уровня прямо на поверхности кремниевых микросхем. Результаты исследования были опубликованы на официальном сайте MIT и на страницах журнала Nature.
2.jpg
Проблема современных транзисторов заключается в их трёхмерной структуре. Она не позволяет плотно укладывать транзисторы для создания плотных интеграций и повышения мощности систем. Полупроводниковые транзисторы из двумерных материалов, толщина которых колеблется в пределах трёх атомов, могут быть без особых сложностей наложены друг на друга, что позволяет создавать более производительные чипы. В MIT создали технологию, позволяющую «выращивать» слои двумерных материалов из дихалькогенидов переходных металлов (TMD) прямо на поверхности кремниевых пластин.
1-1.jpg
Процесс «выращивания» таких материалов довольно сложен и требует высоких температур — до 600 °С. Чтобы избежать выхода из строя кремниевых пластин (для этого достаточно температуры в 400 °С), учёные в MIT разработали низкотемпературный метод «выращивания». Он позволяет «вырастить» тонкую плёнку транзисторов атомного уровня на всей поверхности 200-мм пластины менее чем за час. Традиционно плёнку выращивают отдельно, а затем переносят на микросхему. Этот процесс часто вызывал дефекты, которые мешали оптимальной работе конечных устройств.
Авторы разработки используют в своей работе очень гибкий и прозрачный материал дисульфид молибдена, который обладает мощными электронными и фотонными свойствами. Такой набор свойств делает его идеальным материалом для транзистора.

1-2.jpg

«Выращивание» происходит с помощью процесса, известного как металлоорганическое химическое осаждение из паровой фазы (MOCVD). Внутри реакционной камеры происходит испарение гексакарбонила молибдена и диэтиленсульфоксида. В ходе данного процесса из них выделяются атомы молибдена и серы, которые позже соединяются в дисульфид молибдена. Чтобы цепочки не разрушались под воздействием температуры свыше 400 °С, учёным пришлось разработать новую печь. Она состоит из двух камер: низкотемпературной — там располагается кремниевая пластина, и высокотемпературной, куда закачиваются искомые материалы. Прекурсор молибдена находится в первой камере, а прекурсор серы проходит через вторую, разлагается там, и переходит в низкотемпературную камеру, где и начинается процесс «выращивания» атомного транзистора.
Пластина в камере располагается вертикально. Таким образом все её части находятся на равном удалении от высокотемпературной камеры во избежание порчи.
В ближайшем будущем в MIT хотят доработать технологию, чтобы научиться «выращивать» несколько слоёв двумерных транзисторов.
Источник: https://trashbox.ru/link/2023-04-28-mit-tranzistory

подписка на публикации

последние события

13.06.24

Made in Russia? Правительство уточнило критерии отечественности

Оценка соответствия отечественного статуса производителя вызывает немало споров. Тогда как допущенная ошибка может обернуться даже уголовным преследованием. Вопросы национального приоритета обсуждали на Петербургском международном экономическом форуме.

читать далее
28.06.24

Российские учёные разработали ПО для ускорения производства электроники

Новосибирские учёные разработали по для ускорения разработки электроники почти на треть.

читать далее
25.06.24

Создан рекордно маленький нанолазер для сверхкомпактных чипов

Ученым университета ИТМО удалось уменьшить размер наночастицы с 310 нанометров до 200.

читать далее
21.06.24

Россия построит оптоволоконный канал между Европой и Азией

Россия построит трансарктическую оптоволоконную сеть, которая значительно ускорит передачу данных между Европой и Азией.

читать далее
18.06.24

В Новосибирске создали грузовой беспилотник, способный поднимать до 100 кг грузов

У нового оборудования волнистый профиль крыла, что повышает безопасность эксплуатации воздушного судна и улучшает его взлетно-посадочные характеристики.

читать далее
14.06.24

TSMC рассказала о разработке 2-нм полупроводников нового поколения

TSMC сообщает, что разработка 2-нм техпроцесса идёт гладко и массовое производство должно быть налажено в 2025 году, как и планировалось.

читать далее
11.06.24

12 июня - День России

День России — праздник, символизирующий день рождения современного государства, суверенитет и процветание страны. 

читать далее
07.06.24

Китайские компании создают американские филиалы для обхода санкций

В условиях усиления санкций со стороны США китайские компании, такие как Hesai Group и BGI Group, начали регистрировать филиалы в Америке под новыми именами. Этот шаг позволяет им продолжать деятельность на американском рынке.

читать далее


Помощник Помощник