события

        

Samsung расскажет о GAA-транзисторах третьего поколения для 2-нм чипов в июне

Компания Samsung разрабатывает транзисторы GAA (Gate-all-Around) нового поколения, которые будут применяться в чипах, производимых по её 2-нм техпроцессе. Компания планирует внедрить технологию в следующем году. Об этом сообщает южнокорейское издание Business Korea, ссылающееся на свои источники в отрасли.
Samsung расскажет о GAA-транзисторах третьего поколения для 2-нм чипов в июне - Google Chrome.jpg
Источник изображений: Samsung

Со ссылкой на свои источники издание также отмечает, что Samsung собирается представить доклад о третьем поколении технологии GAA для своего 2-нм техпроцесса (SF2) в рамках конференции по вопросам полупроводниковых технологий VLSI Symposium 2024, которая будет проходить на Гавайях с 16 по 20 июня.

Технология GAA, которую первой в мире поставила на коммерческие рельсы именно компания Samsung, это технология производства транзисторов с затвором, который полностью окружает канал. Поскольку с каждым переходом на новый техпроцесс транзисторы в составе полупроводника становятся меньше, контролировать движение тока в них становится всё сложнее. Однако GAA предлагает совершенно новую архитектуру транзистора, которая позволяет повысить его энергоэффективность.

В настоящий момент Samsung является единственной компанией в мире, которая может массово применять технологию GAA-транзисторов для производства чипов. Она приступила к исследованию GAA ещё в начале 2000-х годов и впервые внедрила её для своего 3-нм техпроцесса в 2022 году. Однако из-за мировой экономической нестабильности, высокой стоимости производства, а также ограниченной клиентской базы в таких секторах, как мобильные устройства, спрос на 3-нм техпроцесс Samsung оказался несущественным. Как результат, лидерство в производстве 3-нм чипов перешло к тайваньскому контрактному производителю чипов TSMC, который использует более традиционные (и дешёвые) методы производства транзисторов.

2.jpg

В ответ Samsung готовит второе поколение транзисторов GAA для 3-нм техпроцесса, которое она собирается представить в течение этого года. А в следующем году компания представит третье поколение GAA для 2-нм техпроцесса, чтобы закрепить лидерство в этом направлении. TSMC и Intel тоже планируют в конечном итоге перейти на использование технологии GAA с переходом на 2-нм техпроцесс производства, но случится это позже, чем у Samsung. Таким образом, у южнокорейской компании будет некое преимущество перед конкурентами. По крайней мере в теории.

Официальное название технологии GAA от Samsung — MBCFET. Первое поколение GAA для техпроцесса 3 нм по сравнению с предыдущим поколением FinFET-транзисторов Samsung обеспечило 23-процентную прибавку в производительности, 16-процентное увеличение плотности и 45-процентное повышение энергоэффективности. Второе поколение GAA для 3 нм техпроцесса, как ожидается, обеспечит 30-процентную прибавку в производительности, 35-процентное повышение плотности, а также 50-процентное снижение в энергопотреблении. Что касается третьего поколения MBCFET, то для него также ожидается значительная прибавка в производительности с более чем 50-процентным повышением энергоэффективности по сравнению с предыдущим поколением технологии.

Источник: https://3dnews.ru/1104090/samsung-rasskaget-o-tretem-pokolenii-gaatranzistorov-dlya-2-nm-tehprotsessa-v-iyune

подписка на публикации

последние события

18.10.24

На опережение «Атома»: Липецк обеспечит двигателями и батареями российские электрокары

Завод «Моторинвест», занимающийся сборкой электромобилей и гибридов под маркой Evolute, объявил о планах по переходу на полный цикл производства. И - что еще важнее - о скором оснащении модели i-Joy отечественными мотором и батареей. Это должно случиться в 2025 году.

читать далее
15.10.24

«Текущий этап – переходный»: председатель правительства о микроэлектронной промышленности

Отрасль отзывается на меры поддержки: за первое полугодие объём производства электроники и оптических изделий вырос на 35% относительно соответствующего периода 2023 года.

читать далее
11.10.24

Собственные установки для производства микроэлектроники должны появиться в России к 2030 году

Для этого планируется провести 110 конструкторских работ. Планируется создать установки для литографии, корпусирования, производства фотошаблонов и кремниевых пластин.

читать далее
08.10.24

В МИРЭА разработали способ распознавания электронных устройств по радиогеному

Ученые из РТУ МИРЭА создали аппаратуру для регистрации и распознавания сигнальных радиоизображений различных устройств.

читать далее
06.10.24

С днём работника электронной промышленности

Поздравляем вас с Днем работника электронной промышленности! В этом году мы впервые отмечаем этот праздник.

читать далее
04.10.24

Учёные придумали съедобный транзистор на основе зубной пасты

В будущем съедобные транзисторы могут использоваться в качестве ключевого компонента для создания умных таблеток, предназначенных для мониторинга состояния здоровья.

читать далее
03.10.24

Мишустин: Россия вскоре начинает серийное производство базовых станций 4G и 5G, которые будут работать на отечественном ПО

Выход на крупносерийное производство планируется в конце 2024 года и речь идет о тысячах единиц оборудования. Это полностью отечественная разработка, в ней используются собственные схемотехнические решения компании и программное обеспечение, сборка осуществляется на территории РФ.

читать далее
02.10.24

Специалист: доля импорта в сфере микроэлектроники за семь лет сократится до 55%

Профессор кафедры наноэлектроники РТУ МИРЭА доктор физико-математических наук Алексей Юрасов рассказал в беседе с RT, каких успехов Россия достигла в импортозамещении в сфере микроэлектроники.

читать далее


Помощник Помощник