события

        

Samsung расскажет о GAA-транзисторах третьего поколения для 2-нм чипов в июне

Компания Samsung разрабатывает транзисторы GAA (Gate-all-Around) нового поколения, которые будут применяться в чипах, производимых по её 2-нм техпроцессе. Компания планирует внедрить технологию в следующем году. Об этом сообщает южнокорейское издание Business Korea, ссылающееся на свои источники в отрасли.
Samsung расскажет о GAA-транзисторах третьего поколения для 2-нм чипов в июне - Google Chrome.jpg
Источник изображений: Samsung

Со ссылкой на свои источники издание также отмечает, что Samsung собирается представить доклад о третьем поколении технологии GAA для своего 2-нм техпроцесса (SF2) в рамках конференции по вопросам полупроводниковых технологий VLSI Symposium 2024, которая будет проходить на Гавайях с 16 по 20 июня.

Технология GAA, которую первой в мире поставила на коммерческие рельсы именно компания Samsung, это технология производства транзисторов с затвором, который полностью окружает канал. Поскольку с каждым переходом на новый техпроцесс транзисторы в составе полупроводника становятся меньше, контролировать движение тока в них становится всё сложнее. Однако GAA предлагает совершенно новую архитектуру транзистора, которая позволяет повысить его энергоэффективность.

В настоящий момент Samsung является единственной компанией в мире, которая может массово применять технологию GAA-транзисторов для производства чипов. Она приступила к исследованию GAA ещё в начале 2000-х годов и впервые внедрила её для своего 3-нм техпроцесса в 2022 году. Однако из-за мировой экономической нестабильности, высокой стоимости производства, а также ограниченной клиентской базы в таких секторах, как мобильные устройства, спрос на 3-нм техпроцесс Samsung оказался несущественным. Как результат, лидерство в производстве 3-нм чипов перешло к тайваньскому контрактному производителю чипов TSMC, который использует более традиционные (и дешёвые) методы производства транзисторов.

2.jpg

В ответ Samsung готовит второе поколение транзисторов GAA для 3-нм техпроцесса, которое она собирается представить в течение этого года. А в следующем году компания представит третье поколение GAA для 2-нм техпроцесса, чтобы закрепить лидерство в этом направлении. TSMC и Intel тоже планируют в конечном итоге перейти на использование технологии GAA с переходом на 2-нм техпроцесс производства, но случится это позже, чем у Samsung. Таким образом, у южнокорейской компании будет некое преимущество перед конкурентами. По крайней мере в теории.

Официальное название технологии GAA от Samsung — MBCFET. Первое поколение GAA для техпроцесса 3 нм по сравнению с предыдущим поколением FinFET-транзисторов Samsung обеспечило 23-процентную прибавку в производительности, 16-процентное увеличение плотности и 45-процентное повышение энергоэффективности. Второе поколение GAA для 3 нм техпроцесса, как ожидается, обеспечит 30-процентную прибавку в производительности, 35-процентное повышение плотности, а также 50-процентное снижение в энергопотреблении. Что касается третьего поколения MBCFET, то для него также ожидается значительная прибавка в производительности с более чем 50-процентным повышением энергоэффективности по сравнению с предыдущим поколением технологии.

Источник: https://3dnews.ru/1104090/samsung-rasskaget-o-tretem-pokolenii-gaatranzistorov-dlya-2-nm-tehprotsessa-v-iyune

подписка на публикации

последние события

26.07.24

В России запустят серийное производство чипов по 65-нм техпроцессу к 2028 году

Российские власти утвердили план по развитию электроники и микроэлектроники в стране до 2030 года. Одним из целевых показателей его реализации станет создание серийного производства микросхем по техпроцессу 65 нм к 2028 году, которые будут выпускаться на входящем в ГК «Элемент» зеленоградском «Микроне».

читать далее
23.07.24

Учёные разработали программную платформу для управления роботами

Использование адаптивного управления промышленными роботами позволит значительно повысить производительность труда, сократить затраты на переналадку оборудования и улучшить конкурентоспособность продукции.

читать далее
19.07.24

Компании ASML и TSMC грозятся вывести из строя оборудование для производства микросхем в случае вторжения Китая на Тайвань

По словам экспертов, компании ASML Holding NV и Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. знают, как вывести из строя самые сложные в мире станки для производства микросхем в случае вторжения Китая на Тайвань.

читать далее
18.07.24

Завод GS Nanotech в Калининградской области поставил первую партию изделий для производителя чипов «Микрон»

На ведущем предприятии по разработке, корпусированию и тестированию микроэлектронной продукции GS Nanotech собрана и отгружена стотысячная партия RISC-V микроконтроллеров MIK32 Амур. До конца года на заводе соберут до полумиллиона Амуров.

читать далее
19.07.24

«Бештау» начнёт производство микропроцессоров

Компания «Бештау» планирует начать выпуск чипов в количестве 1 млн в год, а в перспективе — до 2–2,5 млн в год.

читать далее
15.07.24

Представлена российская системная плата «Ключевская» для двух Arm-процессоров

Российская технологическая компания «Е-Флопс» объявила о разработке системной платы под названием «Ключевская», которая позиционируется в качестве основы модульной серверной платформы для хранения и обработки данных. Выпуск новинки, на которую получен патент, планируется организовать в сентябре нынешнего года.

читать далее
12.07.24

Производители электроники попросили у Минпромторга льгот и возможности отказаться от маркировки

Ассоциация российских разработчиков и производителей электроники (АРПЭ) попросила нового главу Минпромторга России Антона Алиханова о поддержке в вопросе льгот и субсидий, после отказа, полученного от предыдущего руководства ведомства.

читать далее
09.07.24

Wi-Fi расправил плечи

ГК «Аквариус» запускает производство корпоративных роутеров.

читать далее


Помощник Помощник