события

        

Samsung расскажет о GAA-транзисторах третьего поколения для 2-нм чипов в июне

Компания Samsung разрабатывает транзисторы GAA (Gate-all-Around) нового поколения, которые будут применяться в чипах, производимых по её 2-нм техпроцессе. Компания планирует внедрить технологию в следующем году. Об этом сообщает южнокорейское издание Business Korea, ссылающееся на свои источники в отрасли.
Samsung расскажет о GAA-транзисторах третьего поколения для 2-нм чипов в июне - Google Chrome.jpg
Источник изображений: Samsung

Со ссылкой на свои источники издание также отмечает, что Samsung собирается представить доклад о третьем поколении технологии GAA для своего 2-нм техпроцесса (SF2) в рамках конференции по вопросам полупроводниковых технологий VLSI Symposium 2024, которая будет проходить на Гавайях с 16 по 20 июня.

Технология GAA, которую первой в мире поставила на коммерческие рельсы именно компания Samsung, это технология производства транзисторов с затвором, который полностью окружает канал. Поскольку с каждым переходом на новый техпроцесс транзисторы в составе полупроводника становятся меньше, контролировать движение тока в них становится всё сложнее. Однако GAA предлагает совершенно новую архитектуру транзистора, которая позволяет повысить его энергоэффективность.

В настоящий момент Samsung является единственной компанией в мире, которая может массово применять технологию GAA-транзисторов для производства чипов. Она приступила к исследованию GAA ещё в начале 2000-х годов и впервые внедрила её для своего 3-нм техпроцесса в 2022 году. Однако из-за мировой экономической нестабильности, высокой стоимости производства, а также ограниченной клиентской базы в таких секторах, как мобильные устройства, спрос на 3-нм техпроцесс Samsung оказался несущественным. Как результат, лидерство в производстве 3-нм чипов перешло к тайваньскому контрактному производителю чипов TSMC, который использует более традиционные (и дешёвые) методы производства транзисторов.

2.jpg

В ответ Samsung готовит второе поколение транзисторов GAA для 3-нм техпроцесса, которое она собирается представить в течение этого года. А в следующем году компания представит третье поколение GAA для 2-нм техпроцесса, чтобы закрепить лидерство в этом направлении. TSMC и Intel тоже планируют в конечном итоге перейти на использование технологии GAA с переходом на 2-нм техпроцесс производства, но случится это позже, чем у Samsung. Таким образом, у южнокорейской компании будет некое преимущество перед конкурентами. По крайней мере в теории.

Официальное название технологии GAA от Samsung — MBCFET. Первое поколение GAA для техпроцесса 3 нм по сравнению с предыдущим поколением FinFET-транзисторов Samsung обеспечило 23-процентную прибавку в производительности, 16-процентное увеличение плотности и 45-процентное повышение энергоэффективности. Второе поколение GAA для 3 нм техпроцесса, как ожидается, обеспечит 30-процентную прибавку в производительности, 35-процентное повышение плотности, а также 50-процентное снижение в энергопотреблении. Что касается третьего поколения MBCFET, то для него также ожидается значительная прибавка в производительности с более чем 50-процентным повышением энергоэффективности по сравнению с предыдущим поколением технологии.

Источник: https://3dnews.ru/1104090/samsung-rasskaget-o-tretem-pokolenii-gaatranzistorov-dlya-2-nm-tehprotsessa-v-iyune

подписка на публикации

последние события

07.02.25

Россияне и китайцы простым алгоритмом ускорили видеокарты Nvidia в 800 раз. Это удар по санкциям США

КНР и Россия разработали метод повышения производительности видеокарт Nvidia в научных вычислениях. Их удалось ускорить в 800 раз. Nvidia по решению властей США сильно ограничена в поставках своих решений для науки на Восток.

читать далее
04.02.25

Индия запустит производство чипов в 2025 году

Индия готовится стать одним из ключевых игроков на рынке полупроводниковой продукции. По словам министра связи и информационных технологий страны Ашвини Вайшно, в 2025 году Индия выпустит первый процессор местного производства.

читать далее
03.02.25

Дайджест самых значимых событий уходящей недели в радиоэлектронной отрасли.

От микрочипов до спутников:  рассказываем о самых значимых событиях уходящей недели в радиоэлектронной отрасли...

читать далее
31.01.25

Путин, дроны, небеса: президент хочет выпустить гражданские беспилотники в полет

Президент Путин дал поручение открыть небо для гражданских беспилотников в безопасных регионах. Он считает, что БПЛА нужен отдельный эшелон, как ранее и предлагала Росавиация. Идею Росавиации раскритиковали разработчики и эксплуатанты, и Путин учел их недовольство. Что думают в беспилотной отрасли о новом поручении президента, читаем в материале...

читать далее
30.01.25

«Росэлектроника» произвела партию телесистем для подводных роботизированных комплексов

Оборудование позволяет дронам обнаруживать мины и другие объекты на глубине нескольких сотен метров, в том числе — под слоем ила. Также система может использоваться в качестве аппарата наведения при уничтожении взрывных устройств. 

читать далее
28.01.25

В Москве готовятся к внедрению отечественных дорожных камер-шумомеров

Камеры измеряют уровень шума мотоциклов и автомобилей. В начале 2024 года завершилась сертификация нового комплекса «Эфир» с четырьмя направленными микрофонами — они обнаружат в потоке транспортные средства с громыхающей музыкой или ревущей выхлопной системой.

читать далее
27.01.25

Ключевые новости радиоэлектроники за прошедшую неделю

Держите руку на пульсе событий! Представляем обзор ключевых новостей радиоэлектроники за прошедшую неделю...

читать далее
24.01.25

Первый пуск ракеты «Ангара» с космодрома «Восточный» в списке наиболее значимых событий года в российской космонавтике

Наиболее значимые события года в российской космонавтике выбрал Центр внутренних и внешних коммуникаций Госкорпорации «Роскосмос».

читать далее


Помощник Помощник