В России открыли "минутный" способ синтеза фоточувствительных материалов
Наиболее популярные представители этого класса – дисульфид молибдена (MoS2) и дисульфид вольфрама (WS2). Пленки этих веществ толщиной в 10 000 раз меньше человеческого волоса и способны поглощать до 25% падающего на них света. Это рекордное значение, по словам ученых, позволяет совершенствовать матрицы фотоаппаратов, солнечных батарей и другой светочувствительной техники.
Сейчас оба дисульфида получают в кварцевых печах, но это довольно медленный и сложно управляемый процесс, к тому же он плохо масштабируется для массового производства и имеет ряд ограничений по структуре материала, объяснили ученые.
Ученые Национального исследовательского университета "МИЭТ" и МГУ имени М.В. Ломоносова создали новую установку для получения полупроводниковых дисульфидов переходных металлов с различной пространственной структурой.
"Новый, разработанный в МГУ имени М.В. Ломоносова метод синтеза структур из MoS2 и WS2 позволяет получать пленки MoS2 всего за одну-две минуты, а также дает возможность управлять морфологией продукта в процессе создания. С его помощью можно получать образцы больших размеров, а также пленки в виде наностенок толщиной в несколько атомных слоев", – рассказал начальник научно-исследовательской лаборатории атомной модификации и анализа поверхности полупроводников МИЭТ Борис Логинов.
"При быстрой смене состава газа в нашей установке, например, если пары молибдена заменять на пары вольфрама и наоборот, можно получать пленки с чередующимся химическим составом, создавая так называемые гетеропереходы, которые крайне востребованы в инфракрасных камерах, тепловизорах, детекторах ультрабыстрых световых импульсов и другой современной фототехнике", – отметил автор идеи нового метода синтеза структур из MoS2 и WS2 аспирант МГУ им. М.В. Ломоносова Артем Логинов.
В будущем исследователи намерены усовершенствовать систему для производства двумерных, имеющих толщину в один атом материалов из дихалькогенидов переходных металлов.
МИЭТ – участник программы государственной поддержки университетов РФ "Приоритет-2030" национального проекта "Наука и университеты".
Источник: https://ria.ru/20231122/nauka-1910876873.html
последние события
В Индии появится своё полупроводниковое производство
Тайваньская компания Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation (PSMC) и индийский производитель Tata Electronics подписали соглашение о строительстве первого в Индии завода по производству 28-нм чипов. Завод будет расположен в Дхолере, штат Гуджарат. Общий объем инвестиций в проект составит $11 миллиардов.
читать далееДень таможенника Российской Федерации
25 октября 2024 г. исполняется 33 года со дня создания российской таможенной службы.
читать далееКрупнейший производитель микроэлектроники в России испытывает сложности с восстановлением производства после атаки беспилотника
Производственные и административные корпуса брянского предприятия по производству электронной техники «Группы Кремний Эл» подверглись атаке беспилотников ВСУ. В результате нарушено энергоснабжение, нанесен ущерб объектам обеспечения спецэнергетикой, прерваны технологические производственные цепочки.
читать далееУникальное хранилище энергии построят в Европе: как оно будет работать
Ирландская компания FuturEnergy Ireland подала заявку на строительство уникального энергохранилища на базе железо-воздушных аккумуляторов с ёмкостью 1 ГВт·ч и сроком службы 30 лет.
читать далееЙошкар-Олинский «Технотех» разработал самую большую многослойную печатную плату в России
Ее площадь составляет 64,4 квадратных дециметра. Ширина печатной платы — 23 см, длина — 280 см.
читать далееНа опережение «Атома»: Липецк обеспечит двигателями и батареями российские электрокары
Завод «Моторинвест», занимающийся сборкой электромобилей и гибридов под маркой Evolute, объявил о планах по переходу на полный цикл производства. И - что еще важнее - о скором оснащении модели i-Joy отечественными мотором и батареей. Это должно случиться в 2025 году.
читать далее«Текущий этап – переходный»: председатель правительства о микроэлектронной промышленности
Отрасль отзывается на меры поддержки: за первое полугодие объём производства электроники и оптических изделий вырос на 35% относительно соответствующего периода 2023 года.
читать далееСобственные установки для производства микроэлектроники должны появиться в России к 2030 году
Для этого планируется провести 110 конструкторских работ. Планируется создать установки для литографии, корпусирования, производства фотошаблонов и кремниевых пластин.
читать далееПомощник