события

        

В России открыли "минутный" способ синтеза фоточувствительных материалов

В последние годы растет интерес к новому классу полупроводниковых материалов – дихалькогенидам переходных металлов, сообщили специалисты. По их словам, тончайшие слои этих соединений обладают уникальными светопоглощающими свойствами.
1.jpg
Наиболее популярные представители этого класса – дисульфид молибдена (MoS2) и дисульфид вольфрама (WS2). Пленки этих веществ толщиной в 10 000 раз меньше человеческого волоса и способны поглощать до 25% падающего на них света. Это рекордное значение, по словам ученых, позволяет совершенствовать матрицы фотоаппаратов, солнечных батарей и другой светочувствительной техники.
Сейчас оба дисульфида получают в кварцевых печах, но это довольно медленный и сложно управляемый процесс, к тому же он плохо масштабируется для массового производства и имеет ряд ограничений по структуре материала, объяснили ученые.
Ученые Национального исследовательского университета "МИЭТ" и МГУ имени М.В. Ломоносова создали новую установку для получения полупроводниковых дисульфидов переходных металлов с различной пространственной структурой.
"Новый, разработанный в МГУ имени М.В. Ломоносова метод синтеза структур из MoS2 и WS2 позволяет получать пленки MoS2 всего за одну-две минуты, а также дает возможность управлять морфологией продукта в процессе создания. С его помощью можно получать образцы больших размеров, а также пленки в виде наностенок толщиной в несколько атомных слоев", – рассказал начальник научно-исследовательской лаборатории атомной модификации и анализа поверхности полупроводников МИЭТ Борис Логинов.

© Фото : МИЭТ/Борис ЛогиновСхема получения сульфидов молибдена и вольфрама по новой технологии МИЭТ и МГУ
© Фото : МИЭТ/Борис ЛогиновСхема получения сульфидов молибдена и вольфрама по новой технологии МИЭТ и МГУ
Установки лабораторного масштаба для синтеза MoS2 и WS2, разработанные учеными "МИЭТ" и МГУ имени М.В. Ломоносова и произведенные на АО "Завод ПРОТОН", уже испытаны в получении различных вариантов полупроводниковых структур, сообщили ученые.
"При быстрой смене состава газа в нашей установке, например, если пары молибдена заменять на пары вольфрама и наоборот, можно получать пленки с чередующимся химическим составом, создавая так называемые гетеропереходы, которые крайне востребованы в инфракрасных камерах, тепловизорах, детекторах ультрабыстрых световых импульсов и другой современной фототехнике", – отметил автор идеи нового метода синтеза структур из MoS2 и WS2 аспирант МГУ им. М.В. Ломоносова Артем Логинов.
В будущем исследователи намерены усовершенствовать систему для производства двумерных, имеющих толщину в один атом материалов из дихалькогенидов переходных металлов.
МИЭТ – участник программы государственной поддержки университетов РФ "Приоритет-2030" национального проекта "Наука и университеты".
Источник: https://ria.ru/20231122/nauka-1910876873.html

подписка на публикации

последние события

26.07.24

В России запустят серийное производство чипов по 65-нм техпроцессу к 2028 году

Российские власти утвердили план по развитию электроники и микроэлектроники в стране до 2030 года. Одним из целевых показателей его реализации станет создание серийного производства микросхем по техпроцессу 65 нм к 2028 году, которые будут выпускаться на входящем в ГК «Элемент» зеленоградском «Микроне».

читать далее
23.07.24

Учёные разработали программную платформу для управления роботами

Использование адаптивного управления промышленными роботами позволит значительно повысить производительность труда, сократить затраты на переналадку оборудования и улучшить конкурентоспособность продукции.

читать далее
19.07.24

Компании ASML и TSMC грозятся вывести из строя оборудование для производства микросхем в случае вторжения Китая на Тайвань

По словам экспертов, компании ASML Holding NV и Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. знают, как вывести из строя самые сложные в мире станки для производства микросхем в случае вторжения Китая на Тайвань.

читать далее
18.07.24

Завод GS Nanotech в Калининградской области поставил первую партию изделий для производителя чипов «Микрон»

На ведущем предприятии по разработке, корпусированию и тестированию микроэлектронной продукции GS Nanotech собрана и отгружена стотысячная партия RISC-V микроконтроллеров MIK32 Амур. До конца года на заводе соберут до полумиллиона Амуров.

читать далее
19.07.24

«Бештау» начнёт производство микропроцессоров

Компания «Бештау» планирует начать выпуск чипов в количестве 1 млн в год, а в перспективе — до 2–2,5 млн в год.

читать далее
15.07.24

Представлена российская системная плата «Ключевская» для двух Arm-процессоров

Российская технологическая компания «Е-Флопс» объявила о разработке системной платы под названием «Ключевская», которая позиционируется в качестве основы модульной серверной платформы для хранения и обработки данных. Выпуск новинки, на которую получен патент, планируется организовать в сентябре нынешнего года.

читать далее
12.07.24

Производители электроники попросили у Минпромторга льгот и возможности отказаться от маркировки

Ассоциация российских разработчиков и производителей электроники (АРПЭ) попросила нового главу Минпромторга России Антона Алиханова о поддержке в вопросе льгот и субсидий, после отказа, полученного от предыдущего руководства ведомства.

читать далее
09.07.24

Wi-Fi расправил плечи

ГК «Аквариус» запускает производство корпоративных роутеров.

читать далее


Помощник Помощник