события

        

В Томске разработали диоды нового поколения на основе оксида галлия

Аспирант радиофизического факультета ТГУ Никита Яковлев, работающий в центре «Перспективные технологии в микроэлектронике», представил лабораторные образцы диодов на основе оксида галлия. Эти полупроводники относятся к четвертому поколению материалов, обладающих высокой устойчивостью к напряжению, низким энергопотреблением и компактными размерами. Разработка ведется в рамках проекта «Силовой диод 1 kV-класса с барьером Шоттки на основе Ga2O3», поддержанного Фондом содействия инновациям.
Российские ученые разработали диоды на основе оксида галлия для микроэлектроники - Google Chrome.jpg
Новые диоды будут востребованы в разных областях производства. Источник: news.tsu.ru

Аспирант радиофизического факультета ТГУ Никита Яковлев, работающий в центре «Перспективные технологии в микроэлектронике», представил лабораторные образцы диодов на основе оксида галлия. Эти полупроводники относятся к четвертому поколению материалов, обладающих высокой устойчивостью к напряжению, низким энергопотреблением и компактными размерами. Разработка ведется в рамках проекта «Силовой диод 1 kV-класса с барьером Шоттки на основе Ga2O3», поддержанного Фондом содействия инновациям.

Как поясняет Никита Яковлев, оксид галлия существенно превосходит традиционные материалы, такие как нитрид галлия и кремний. В настоящее время Китай лидирует в разработке таких полупроводников, но Россия также активно включается в эту гонку, стремясь к технологической независимости.

2.jpg

Аспирант ТГУ Никита Яковлев и его научный руководитель Алексей Алмаев. Источник: news.tsu.ru

Первые испытания лабораторных образцов уже проведены на базе центра «Перспективные технологии в микроэлектронике» ТГУ. Сейчас команда разработчиков сосредоточена на оптимизации производственного процесса, чтобы повысить процент выхода годных диодов.


Создание диодов на оксиде галлия — важный шаг в развитии российской микроэлектроники. Внедрение таких решений позволит не только сократить энергопотребление устройств, но и укрепить позиции страны на мировом рынке высоких технологий.


Ранее ученые МФТИ и Федерального исследовательского центра проблем химической физики и медицинской химии РАН получили гибридный люминофор в форме коллоидных квантовых точек — кристаллофосфор фосфида индия, допированного марганцем.

Источник: https://science.mail.ru/news/5918-v-tomske-razrabotali-diody-novogo-pokoleniya-na-osnove-oksida-gall...





подписка на публикации

последние события

21.11.25

Китай первым в мире освоит бездефектное производство чипов

Китайские исследователи провели уникальный анализ причин появления дефектов в производстве чипов на 300-мм кремниевых пластинах

читать далее
18.11.25

В 2026 году Роскосмос займется созданием совершенно новой полностью многоразовой российской ракеты «Корона», она во многом превзойдет Falcon 9

«Корона» сможет возвращать грузы с орбиты на Землю, а также совершать межконтинентальные перелеты

читать далее
14.11.25

В Китае создали оптический чип, который «думает» на скорости света

В Китае создали оптический чип, который «думает» на скорости света.

читать далее
11.11.25

Qualcomm представила новые ИИ-чипы AI200 и AI250 для дата-центров, конкурирующие с Nvidia и AMD

Компания выходит на рынок мощных ИИ-ускорителей с системами жидкостного охлаждения и большими объёмами памяти, планируя запуск в 2026–2027 годах

читать далее
07.11.25

Разработка «Росэл» поможет проектировать сверхэффективные антенны

Холдинг «Росэл» Госкорпорации Ростех создал программный комплекс для проектирования сложных антенных систем. 

читать далее
04.11.25

С днём народного единства

С праздником!

читать далее
31.10.25

Холдинг «Швабе» представил новый автоматизированный комплекс для уничтожения беспилотников с помощью дронов-перехватчиков

Решение можно интегрировать в многоуровневые системы обороны, сочетать с различными радиолокационными станциями и другими средствами поражения.

читать далее
28.10.25

«Квантовый клей» поможет усилить сверхпроводимость

Создан механизм, который призван помочь в создании сверхпроводников, работающих при более высоких температурах.

читать далее


Помощник Помощник