Разработан светодиод, который может стать основой для технологий следующего поколения

Cхема светодиода с циркулярно поляризованным светом на основе InGaN, в котором однослойная метаповерхность интегрирована непосредственно в излучающую поверхность светодиода для преобразования неполяризованного света в циркулярно поляризованный. Источник: Shuhei Ichikawa
«Наша цель — упростить процесс получения света с круговой поляризацией, — говорит автор исследования Шухэй Итикава. — Благодаря интеграции системы управления поляризацией непосредственно в светодиод со специально разработанной метаповерхностью нам не нужны дополнительные оптические компоненты».
Эта метаповерхность состоит из чрезвычайно маленьких наностолбиков из нитрида галлия, расположенных в строгом порядке на поверхности полупроводникового светодиода. Наноразмерные структуры изменяют фазу света таким образом, что одно из состояний круговой поляризации избирательно пропускается, а противоположное — подавляется.
«Компьютерное моделирование показало, что такая конструкция может генерировать сильный свет с круговой поляризацией, при этом около 35% света светодиода проходит через наноструктурированную поверхность, — Итикава. — Такой уровень эффективности приближается к теоретическому максимуму в 50%».
В отличие от многих предыдущих светодиодов с круговой поляризацией, в которых использовались органические материалы или сложные системы на основе спинов, в новой конструкции применяются прочные неорганические материалы, что может способствовать созданию более долговечных и практичных источников света с круговой поляризацией.
В будущем такие компактные источники света с круговой поляризацией могут упростить оптическое оборудование, используемое в гарнитурах виртуальной реальности, 3D-дисплеях с высоким разрешением и новых фотонных технологиях. Благодаря исследованиям этой команды будущее более компактных и эффективных световых устройств выглядит многообещающим.
последние события
Акустический детектор МЧС научился слышать дроны за 7 км, которых не видит радар
В пожарной академии МЧС разработали систему распознавания БПЛА по звуку.
читать далееКитайские физики усилили лазер в 20 раз без увеличения мощности
Китайские физики нашли способ многократно усилить воздействие сверхбыстрых лазеров, не увеличивая их мощность. Новый подход позволяет получать тот же эффект, что и от гораздо более мощного лазерного импульса, но без риска повредить исследуемый материал или дорогостоящее оборудование.
читать далееПромышленная робототехника в РФ делает первые шаги на отечественных чипах
Пока мировые производители микроэлектроники уже работают на мощностях 3–5 нм и создают ИИ-ускорители с производительностью до 97 TOPS, российская промышленность делает первые шаги по легализации собственных решений для робототехники: процессорный модуль Е2С3-COM на базе двухъядерного «Эльбрус-2С3» (техпроцесс 16 нм) включён в Единый реестр отечественной радиоэлектронной продукции Минпромторга.
читать далееНовый тип квантового компьютера на полярных молекулах придумали в России
Российские учёные предложили новый подход к созданию квантовых компьютеров. Исследователи теоретически обосновали возможность разработки многоуровневого квантового процессора на ультрахолодных полярных молекулах, который потенциально сможет эффективнее выполнять сложные вычислительные операции.
читать далееЭто самый эффективный чип для ПК из когда-либо созданных
читать далее
Российская электронная компонентная база: что тормозит рынок, и как сделать рывок
В России продолжается импортозамещение различного ИТ-оборудования, компьютерной техники и других устройств. Спрос во многом обеспечивается за счет предприятий-субъектов КИИ, которые должны отказаться от иностранных аппаратных и программных решений уже к 2028 г. Несмотря на то, что доля российских изделий в проектах становится все больше, немало «места» на рынке занимает продукция из Китая. Опрошенные лидеры отрасли отмечают, что отечественные компании, включая бюджетные организации, нередко предпочитают устройства из дружественной страны из-за сочетания относительно низкой стоимости и достаточной производительности.
читать далееЗаглянуть за High-NA EUV
Фотолитографы с длиной волны рабочего излучения 13,5 нм — самые передовые из в принципе доступных на планете, но для дальнейшей миниатюризации техпроцессов уже и их оказывается недостаточно.
читать далее
Помощник
Ваш запрос отправлен в проработку