Maxscend Microelectronics Company Limited стала ведущей маркой отечественных радиопереключателей на основе смартфонов и РЧ-усилителей с низким уровнем шума.

Maxscend Microelectronics Company Limited была основана в 2012 году. Ведущая деятельность - выпуск микросхем с высочайшим техническим уровнем и высокой рыночной конкурентоспособностью в профессиональном направлении РЧ-устройств и беспроводных соединений. Благодаря превосходной научно-исследовательской технологии, высококачественной продукции и эффективным и совершенным услугам, установила сильное влияние бренда в отрасли. В настоящее время компания стала ведущей маркой отечественных радиопереключателей на основе смартфонов и РЧ-усилителей с низким уровнем шума.

В продуктах Samsung, Xiaomi, Huawei, Lenovo, Meizu используются микросхемы, используемые в радиочастотном диапазоне. Основные дискретные устройства RF front-end используются в автомобильной электронике, гарнитурах Bluetooth, базовых станциях связи и других областях, где требуется беспроводное соединение.

Продукция компании распределена по следующим направлениям:

1. Малошумящие усилители (LNA):

2. Переключатели:

3. Микроконтроллеры:

4. Фильтры на поверхностных акустических волнах (ПАВ):

Компания Maxscend твердо привержена стратегической цели создания ведущей в мире технологической платформы в области радиочастот.

Компания Микросан - независимый профессиональный агрегатор по поставке импортных электронных компонентов. Наши отношения с производителями и поставщиками электронных компонентов прошли проверку временем, достигли взаимопонимания и поддержки. Мы уверенно рекомендуем продукцию производителя компании Maxscend. Готовы обработать Ваш запрос по поставке комплектующих. Рады быть полезными.

теги статьи

5G Диоды Интернет вещи Микросхемы Полупроводники Роботы Триоды Чип Электронные компоненты

последние события

16.01.26

Компания ZALA впервые смогла управлять БПЛА в Антарктиде из России

В рамках 71-й Российской антарктической экспедиции на станции «Мирный» беспилотный комплекс ZALA T-16, выполняя программу научного мониторинга в небе над Антарктидой, перешёл под прямое управление операторов из Центра управления полётами в Ижевске.

13.01.26

В 2025 году в Москве запустили четыре новых технопарка

Общую площадь технопарков по итогам 2025 года увеличили до 2,7 млн кв. м готовых площадей. Сегодня в Москве 49 технопарков, в которых работают больше 2300 компаний и свыше 76 тысяч человек. Стратегическая цель до 2030 года — 5 млн кв. м для инновационных производств.

29.12.25

График работы

26.12.25

С Новым Годом!

24.12.25

Принципиально новый. Российские ученые создали уникальный материал для компьютеров будущего

Совместная работа исследователей Института наукоемких технологий и передовых материалов Дальневосточного федерального университета и НИЦ «Курчатовский институт» вошла в ТОП-10 главных научных открытий года по версии Российского научного фонда. Ученые создали и исследовали принципиально новый материал — двумерный альтермагнетик толщиной всего в один атомный слой. Это прорывное достижение открывает прямой путь к созданию устройств спинтроники нового поколения — энергоэффективной памяти и логических схем компьютеров, где информация передается не зарядом, а спином электрона.

19.12.25

Органические светодиоды теперь могут менять направление света с помощью электрического сигнала

Исследователи из Оксфордского университета впервые нашли способ электрического переключения органических светодиодов (OLED) для испускания света с левой или правой круговой поляризацией без изменения светоизлучающих молекул. Это может быть полезно для целого ряда технологических применений — от более энергоэффективных OLED-дисплеев до оптической передачи информации.

16.12.25

Простой и нежелезный. Ученые создали новый магнит

Новый магнитный материал для жестких дисков и электроники на основе бария, железа и марганца предложили специалисты ЮУрГУ в составе.

12.12.25

НИИМЭ и НИИТМ разработали важное оборудование для производства микрочипов.

Специалисты институтов по заказу Минпромторга создали первые отечественные кластерные установки плазмохимического травления и осаждения, предназначенные для производства электронных компонентов с проектными нормами до 65 нм.

Помощник