Российские ученые увеличили мощность терагерцового излучения в 8 раз

Специалисты Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники (ИСВЧПЭ РАН), входящего в состав НИЦ «Курчатовский институт», увеличили мощность источников терагерцового излучения в восемь раз благодаря использованию линзы, изготовленной из сапфирового волокна. Проведенные эксперименты подтвердили теоретические расчеты, сообщили ТАСС в пресс-службе Курчатовского института.

Развитие источников терагерцового излучения играет важную роль в медицине, связи и других областях. Этот вид излучения, находящийся между инфракрасным и микроволновым диапазонами, хорошо проникает через многие материалы, такие как пластмасса и бумага, и безопасен для живых организмов, что делает его отличной альтернативой рентгеновским методам. Однако низкая эффективность источников остается значительным препятствием, так как в излучение преобразуется лишь небольшая часть исходных импульсов. Ученые нашли способ увеличить эффективность этих устройств.

Повышение мощности стало возможным благодаря установке на поверхность фотопроводящей антенны, генерирующей терагерцовое излучение, линзы из сапфировых волокон. Это позволило увеличить мощность излучения в восемь раз.

Заместитель директора ИСВЧПЭ РАН Дмитрий Пономарев отметил, что исследование подтвердило теоретические расчеты для излучателей большой площади, что важно для спектрометров, широко используемых в научных исследованиях и сельском хозяйстве. Кроме того, была усовершенствована топология излучателя: расстояние между соседними электродами теперь соответствует диаметру сапфирового волокна. Для размещения волокон была разработана новая оснастка, которая легко изготавливается аддитивными методами и позволяет точно размещать волокна.

Результаты работы опубликованы в журнале Applied Physics Letters.

Источник: https://www.securitylab.ru/news/550493.php

теги статьи

5G Диоды Интернет вещи Микросхемы Полупроводники Роботы Триоды Чип Электронные компоненты

последние события

14.07.25

Российский форум «Микроэлектроника 2025». Вступаем в новое десятилетие

Российский форум «Микроэлектроника 2025» пройдет 21–27 сентября 2025 года на территории Научно-технологического университета «Сириус» (Федеральная территория «Сириус»).

11.07.25

Капитализация NVIDIA впервые в истории превысила $4 трлн

NVIDIA первой в мире достигла рекордной капитализации в $ 4 трлн

10.07.25

В проектах автоматизации производства возросла доля российской техники

Линейка производимых в России промышленных и коллаборативных роботов уже сегодня позволяет внедрять и решать совершенно разные производственные задачи.

09.07.25

Китайский стартап продемонстрировал устойчивость человекоподобного робота.

Стартап Noetix показал, как их гуманоид выдерживает испытания на прочность.

08.07.25

Роскосмос разработал новое поколение модулей памяти для спутников: стековая сборка, разрядность от 8 до 40 бит и объём до 512 ГБ

Российские учёные уменьшили память для спутников в два раза без потерь в объёме.

04.07.25

Брянский машиностроительный завод выпустил первый тепловоз ТЭ26 на замену советским М62

Брянский машиностроительный завод завершил сборку первого образца новейшего грузового магистрального односекционного тепловоза ТЭ26.

25.07.25

Разработана дешевая методика извлечения золота из отработанной электроники

Эта технология не требует использования токсичных соединений ртути или цианидов, применяемых в рамках промышленной или нелегальной добычи золота во многих регионах мира.

22.07.25

Производство микроэлектроники в России будет ежегодно расти на четверть

По прогнозам компании Strategy Partners, в России на горизонте до 2030 года сохранятся предпосылки для развития рынка микроэлектроники, при этом доля российских производителей будет расти опережающими темпами и достигнет уровня 350 млрд рублей к 2030 году.

Помощник